Trong thí nghiệm giao thoa Y-âng, nguồn S phát bức xạ có bước sóng $\L

Trong thí nghiệm giao thoa Y-âng, nguồn S phát bức xạ có bước sóng $\Large 500 nm$, khoảng cách giữa hai khe $\Large 1,5 mm$, màn quan sát E cách mặt phẳng hai khe $\Large 2,4 m$. Dịch chuyển một mối hàn của cặp nhiệt điện trên màn E theo đường vuông góc với hai khe, thì cứ sau một khoảng bằng bao nhiêu kim điện kế lại lệch nhiều nhất?

• A. 0,8 mm.
• B. 0,3 mm.
• C. 0,6 mm.
• D. 0,4 mm.

Hướng dẫn: Đáp án A: Khoảng vân giao thoa: $\Large i=\dfrac{\lambda D}{a}=\dfrac{500.10^{-9}.2,4}{1,5.10^{-3}}=0,8 mm$
Vị trí mà kim điện kế lệch nhiều nhất chính là vị trí các vân sáng giao thoa nên cứ sau một khoảng vân, kim điện kế lại lệch nhiều nhất.